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英特尔&美光开始试产25nm TLC闪存

2010-08-18小烈MCPLive.cn

近,英特尔和美光正式宣布试产出25nm TLC闪存的首款样品,TLC(Trinary-Level Cell;TLC),即3bit/cell,也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢,寿命短,但成本低,价格便宜。据悉它有2000-5000次擦写寿命,非常适合于U盘、SD卡和消费电子产品。新发布的芯片拥有8GB容量,芯片面积131平方毫米,比25纳米制程MLC还小20%。

预计英特尔/美光25nm 3bpc闪存将于今年年底正式量产,而且未来如果SF-1000控制器搭配英特尔&美光25nm 3bpc闪存配置的固态硬盘产品的出现,那意味着固态硬盘的价格将提前进入大众化阶段。

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