东芝研发128GB嵌入式NAND闪存芯片
2010-06-17小烈MCPLive.cn
作为富士通的朋友和三星的夙敌，东芝近发布了至今为止大容量128GB的嵌入式NAND闪存产品。
该128GB闪存模块符合新的eMMC v4.4标准，主要面向智能手机、平板机、数码相机等消费电子产品。采用堆叠式封装技术，将16颗32nm工艺64Gbit（8GB）闪存芯片以及一颗控制器芯片，共17层封装在同一颗粒中，尺寸仅有17x22x1.4mm，其持续读写速度可分别达55MB/s和21MB/s。
东芝128GB版将在9月开始试产，预期今年四季度正式量产。
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