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三星发售全球首款多芯片相变内存

2010-04-28小烈MCPLive.cn

三星电子日前高调宣布,将专为手机设备推出多芯片封装的PRAM(phase-change memory:相变内存),预计512Mb版本的将在本季度末正式出货。

作为NOR闪存的继任者,PRAM存储采用了特殊的相变基础材质,除了写入周期明显提升外,在存储性能上比起NOR也快三倍。而且三星透露这款PRAM颗粒在软硬件上都和40nm级NOR闪存颗粒完全兼容,方便客户厂商在产品中加入该存储颗粒。

而且,三星在2009年9月份就开始制造PRAM,采用的是60nm工艺技术。

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