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尔必达异军突起 顺利完成4Gb DDR3研发

2010-04-22小烈MCPLive.cn

在DRAM厂产能供给增加有限,PC市场需求又强劲的情况下。近日日本DRAM龙头厂尔必达正式宣布,已经开发出采用40nm CMOS工艺制造的4GB DRAM产品,而这也是目前全球DDR3的大容量。

这款4Gb DDR3支持x4、x8、x16 bit位宽,其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装,x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外,还可支持1.35V低压标准。

该款4GB产品将于今年6月底前试产,并将于今年Q3在广岛工厂进行量产。据悉新品和现在采用2个2GB的产品相比,可节能30%,预估将可广泛使用于伺服器或高性能PC等产品上。

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