海力士首例40nm 2Gb GDDR5芯片诞生
2009-12-22小烈MCPLive.cn
海力士半导体日前高调的宣布，他们已经成功研发出首例采用40nm技术的2Gb GDDR5 DRAM芯片，主要应用于显卡和游戏控制台。工作电压为1.35V，相比采用了50nm工艺的同等芯片可以节省20%的功耗，而其32位I/O的连接端口可以达到7Gbps (7000 MHz)。
海力士的2Gb GDDR5芯片计划在明年下半年正式进入量产阶段，说不定，我们未来可以在NVIDIA和AMD的下一代或下下代GPU中产品中可以见到它。
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