40nm 2GB DDR3芯片 三星的绿色内存运动
2009-09-13小烈MCPLive.cn
高端NAND厂商三星电子日前展开了一项基于40nm工艺制造的2GB DDR3芯片的运动，命名为“Green Memory”，意在展示40nm内存所存在的节能巨大优势，其工作电压为1.35V，这可比JEDED认证的DDR3电压低了0.15V。
为了起到全面宣称的作用，三星还用网站页面的形式对DDR3内存的节能效果做了一个详细的解释说明。自今年七月份投产以来，三星的40nm 2Gb DDR3 DRAM除了用于4GB So-DIMM（内存模块）和UDIMM（模块），还有8GB和16GB的注册DIMM。
用户评论
正进行的活动
热门文章
编辑推荐