三星开始大量制造40nm 2GB DDR3内存
2009-07-22小烈MCPLive.cn
三星电子芯片部门，三星半导体日前正式宣布，他们已经开始大量生产第一个40nm 2Gb DDR3内存。据称，当供电为1.35V时，内存芯片所传输数据的速度达到了1.6 Gbps，同时他们将被设置用于4GB未注册的DIMMs和SODIMM模块，以及4至16GB用于服务器的注册DIMM模块。三星半导体VPJim Elliott称，市场迟早会进入2Gb DDR3领域，而这款环保型的内存解决方案将会为大量服务器提供更为先进和节能的新标准。
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